Версия для печати
Технические характеристики ADG609BRZ

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Функция	Multiplexer
Каналы	2 x 4:1
Сопротивление (On-State)	30 Ohm
Напряжение питания источника	Single Supply
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	3V, 5V
Ток выходной	50nA
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	16-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Аналоговые ключи, мультиплексоры, демультиплексоры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	24 581	2.18
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	158 014	2.48
		1N4007			DIOTEC	61 836	3.07
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	42 012	2.62
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				235 790	1.30
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	22	1.63
		1N4007			HOTTECH
		1N4007			KLS	440	2.07
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	44 896	1.56
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	4 792	1.26
		1N4007			TWGMC	75 956	1.06
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING
		1N4007			ASEMI
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	199 359	1.16  >100 шт.   0.58
		1N4007			MERRYELC
		1N4007			82582
		1N4007			81682
		1N4007			TRR	361 903	1.38  >100 шт.   0.69
		1N4007			71682
		MAX7219EWG+T			Maxim Integrated Products
		MAX7219EWG+T			MAX
		MAX7219EWG+T			MAXIM
		MAX7219EWG+T			MAXIM INTEGR
		MAX7219EWG+T
		MAX7219EWG+T			MAXIM
		MAX7219EWG+T			4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц		1 048	7.36
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМНИЙ	2 680	18.08
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	СВЕТЛАНА
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	МИНСК
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	БРЯНСК
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	НАЛЬЧИК
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ТРАНЗИСТОР
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	RUS
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМН
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	14852
		КТ3102АМ		Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	7	11 164	11.16
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		6 020	11.53
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	404	12.49
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	6666
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...		1 364	33.48
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	КРЕМНИЙ	2 384	33.57
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	БРЯНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ЗПП МИНСК
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	RUS
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	3580
		КТ815Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный усилительный NPN 80В/1.5А/10Вт ...	702

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"