|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805 1 МОМ 5% |
|
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
0805 1 МОМ 5% |
|
|
ROYAL OHM
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
TE Connectivity
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
TE
|
|
|
|
|
|
2-66102-5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
|
44 644
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
3 613
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
6 484
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DIOTEC
|
115 962
|
1.28
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHI
|
25
|
1.81
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
HOTTECH
|
4 800
|
1.14
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SUNTAN
|
12
|
2.65
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
1
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
JSCJ
|
32 572
|
1.81
|
|
|
|
GRM32ER71H475KA88L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 50 В
|
MUR
|
109 981
|
9.17
|
|
|
|
GRM32ER71H475KA88L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM32ER71H475KA88L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 50 В
|
MURATA
|
1
|
14.04
|
|
|
|
GRM32ER71H475KA88L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM32ER71H475KA88L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ 50 В
|
MURATA
|
592
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|