|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 75V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123 |
| Корпус | SOD-123 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем | ATTEND |
|
|
|
|
|
|
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем |
|
|
||
| GRM1555C1H180JA01D | MUR | 219 725 |
1.00 >1000 шт. 0.20 |
|||||
| GRM1555C1H180JA01D | MURATA | 4 240 | 1.03 | |||||
| GRM1555C1H180JA01D | MURATA | 53 332 |
|
|||||
| GRM1555C1H180JA01D |
|
|
||||||
| LM317MSTT3G | ONS |
|
|
|||||
| LM317MSTT3G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| LM317MSTT3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM317MSTT3G |
|
|
||||||
| LM317MSTT3G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 543 |
|
|||||
| NTF2955T1G | ONS |
|
|
|||||
| NTF2955T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTF2955T1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NTF2955T1G |
|
|
||||||
| NTF2955T1G | TECH PUB | 827 | 25.55 | |||||
| PESD5V2S2UT.215 |
|
2 защитных диода Uesd 30kV Uобр 5,2V Iобр=1чA | NXP |
|
|
|||
| PESD5V2S2UT.215 |
|
2 защитных диода Uesd 30kV Uобр 5,2V Iобр=1чA | NEX-NXP | 1 | 8.44 | |||
| PESD5V2S2UT.215 |
|
2 защитных диода Uesd 30kV Uобр 5,2V Iобр=1чA |
|
|
||||
| PESD5V2S2UT.215 |
|
2 защитных диода Uesd 30kV Uобр 5,2V Iобр=1чA | NEXPERIA |
|
|
|||
| PESD5V2S2UT.215 |
|
2 защитных диода Uesd 30kV Uобр 5,2V Iобр=1чA | NXP/NEXPERIA |
|
|
|||
| PESD5V2S2UT.215 |
|
2 защитных диода Uesd 30kV Uобр 5,2V Iобр=1чA | KLS |
|
|