| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 444
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.20
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
227 146
|
2.07
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
63 812
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
22 680
|
1.29
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
53 370
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
52 304
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
BAW56-7 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BAW56-7 |
|
|
DIODES INC.
|
2 452
|
|
|
|
|
|
BAW56-7 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
BAW56E6327 |
|
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
|
BAW56E6327 |
|
|
INFINEON
|
2 436
|
|
|
|
|
|
BAW56E6327 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BAW56E6327 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
DAN222 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
DAN222 |
|
|
|
|
25.20
|
|
|
|
|
DAN222 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FEP16BTA |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FEP16BTA |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FEP16HTA |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FEP16HTA |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FEP16HTA |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FEP16HTA |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FFH30US30DN |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FFH30US30DN |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FFH30US30DN |
|
|
|
|
980.00
|
|
|
|
|
FFH30US30DN |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FFH30US30DN |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HFA16PA60C |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
HFA16PA60C |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
HFA16PA60C |
|
|
|
|
227.24
|
|
|
|
|
HFA16PA60C |
|
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
M1MA141WAT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
M1MA141WAT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
M1MA141WKT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|