| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAV99T-7 |
|
|
DIODES INC.
|
3 294
|
|
|
|
|
|
BAV99T-7 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
|
127 916
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
25
|
1.75
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DC COMPONENTS
|
20 560
|
2.31
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
4 241
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
5 020
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
HOTTECH
|
26 212
|
1.20
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SUNTAN
|
12
|
2.48
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DIOTEC
|
2 970
|
1.23
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
1
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
JSCJ
|
15 636
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
XSEMI
|
8 280
|
1.63
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KEEN SIDE
|
20 151
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP(PHILIPS)
|
32
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
|
BAV99W-7 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W-7 |
|
|
DIODES INC.
|
480
|
|
|
|
|
|
BAV99W-7 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
OMNI SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
OMNI SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 485
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 753
|
2.10
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
532
|
1.54
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
34 566
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
20 846
|
1.17
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.25
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|