| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
25
|
1.14
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DC COMPONENTS
|
12 708
|
3.94
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP
|
4 241
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHILIPS
|
5 020
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
HOTTECH
|
17 996
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SUNTAN
|
12
|
2.17
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
DIOTEC
|
2 700
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
20500
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
JSCJ
|
48 436
|
1.72
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
XSEMI
|
9 266
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
KEEN SIDE
|
20 135
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
NXP(PHILIPS)
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
22000
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W |
|
(SMD) PBF SOT323
|
32
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W-7 |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W-7 |
|
|
DIODES INC.
|
480
|
|
|
|
|
|
BAV99W-7 |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
OMNI SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
OMNI SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 485
|
|
|
|
|
|
BAV99WT1 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 673
|
2.12
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
224
|
1.35
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 398
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
7 400
|
2.74
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.02
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
