|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FJP3305 |
|
NPN 700V, 4A, 75W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
KSP13 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
KSP44 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KSP44 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FSC
|
|
|
|
|
|
KSP44 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
|
8.12
|
|
|
|
KSP44 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KSP44 |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MJD41CTF |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MJD41CTF |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MJD41CTF |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS9013G |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS9013G |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
SS9013G |
|
|
|
|
16.00
|
|
|
|
SS9013G |
|
|
Џ‹ЂЌ…’Ђ
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FSC
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
|
|
79.76
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS
|
387
|
83.16
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP142T |
|
Транзистор биполярный — составной S-N-DR.100В 10A
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
5 600
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
5 206
|
4.99
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 766
|
3.91
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|