|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BUK7105-40AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUK7105-40AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUK7105-40AIE |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BUK7107-55AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUK7108-40AIE |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BUK7108-40AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BUK7108-40AIE |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
732
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
PML260SN |
|
N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMN38EN |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMN55LN |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PSMN005-55P |
|
N-channel logic level trenchmos (tm) transistor
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PSMN165-200K |
|
N-канальный полевой транзистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PSMN165-200K |
|
N-канальный полевой транзистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
|
|
230.00
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRF7453 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7453 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
|
|
|
|
IRF7453 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
|
|
94.08
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFP460PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)
|
VISHAY
|
1 179
|
254.61
|
|
|
|
IRFP460PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)
|
|
596
|
184.21
|
|
|
|
IRFP460PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFP460PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRFP460PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FQP17P06 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP17P06 |
|
|
|
|
240.00
|
|
|
|
FQP17P06 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP17P06 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP17P06 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY
|
203
|
224.33
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 12A, 150W, 0.5R)
|
|
|
|
|
|
|
IRFR1N60ATR |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR1N60ATR |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
SI2323DS-T1-E3 |
|
Транзистор МОП р-канальный 20V 4.7A 0R03
|
VISHAY
|
2 529
|
41.96
|
|
|