| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
REF192GSZ-REEL7 |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ-REEL7 |
|
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ-REEL7 |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
REF192GSZ-REEL7 |
|
|
|
591
|
222.20
|
|
|
|
|
REF192GSZ-REEL7 |
|
|
ADI
|
|
|
|
|
|
|
REF3318AIDCKT |
|
|
|
|
224.00
|
|
|
|
|
REF3318AIDCKT |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
|
REF3318AIDCKT |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
REF3318AIDCKT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
REF3318AIDCKT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
218
|
|
|
 |
 |
ADR421ARMZ |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
|
|
800.00
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
512
|
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ-REEL7 |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ-REEL7 |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADR421ARMZ-REEL7 |
|
Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8
|
ADI
|
|
|
|
|
|
|
MAX6061AEUR |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX6061AEUR |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
REF198FSZ |
|
ИОН, 4.096В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C, PB free
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF198FSZ |
|
ИОН, 4.096В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C, PB free
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF198FSZ |
|
ИОН, 4.096В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C, PB free
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
REF198FSZ |
|
ИОН, 4.096В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C, PB free
|
|
|
|
|
|
|
|
TLV431AIDR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLV431AIDR |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TLV431AIDR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TLV431AIDR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
635
|
|
|
|
|
|
ICL8069CCZQ |
|
ИОН 1.2В 50ppm/C 0..+70С
|
ITL/HAR
|
|
|
|
|
|
|
ICL8069CCZQ |
|
ИОН 1.2В 50ppm/C 0..+70С
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
ICL8069CCZQ |
|
ИОН 1.2В 50ppm/C 0..+70С
|
|
|
235.52
|
|
|
|
|
ICL8069CCZQ |
|
ИОН 1.2В 50ppm/C 0..+70С
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
ICL8069CCZQ |
|
ИОН 1.2В 50ppm/C 0..+70С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
445
|
|
|
|
|
|
LM285Z-1.2G |
|
U-Ref 1,235V +-1% -40/+85°C
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-1.2G |
|
U-Ref 1,235V +-1% -40/+85°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-1.2G |
|
U-Ref 1,235V +-1% -40/+85°C
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-1.2G |
|
U-Ref 1,235V +-1% -40/+85°C
|
|
|
53.16
|
|
|
|
|
LM285Z-1.2G |
|
U-Ref 1,235V +-1% -40/+85°C
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-1.2G |
|
U-Ref 1,235V +-1% -40/+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
338
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
|
|
58.00
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM285Z-2.5G |
|
U-Ref 2,5V +-1,5% -40/+85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
|
LM385D-2.5G |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
