| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
EPM7064STI44-7 |
|
Плис семейства MAX7000, 1250 вентилей, 64 макроячеек,36 линий ввода/вывода, ...
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
|
EPM7064STI44-7 |
|
Плис семейства MAX7000, 1250 вентилей, 64 макроячеек,36 линий ввода/вывода, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
EPM7064STI44-7 |
|
Плис семейства MAX7000, 1250 вентилей, 64 макроячеек,36 линий ввода/вывода, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
EPM7064STI44-7 |
|
Плис семейства MAX7000, 1250 вентилей, 64 макроячеек,36 линий ввода/вывода, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
520
|
|
|
|
|
|
EZ430-RF2500T |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
 |
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FDMC8884 |
|
N-channel power trench mosfet
|
1
|
|
|
|
|
|
|
H11AG1M |
|
Фототранзисторный оптрон
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
H11AG1M |
|
Фототранзисторный оптрон
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
H11AG1M |
|
Фототранзисторный оптрон
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
H11AG1M |
|
Фототранзисторный оптрон
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
H11AG1M |
|
Фототранзисторный оптрон
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-063L-500E |
|
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-063L-500E |
|
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-063L-500E |
|
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
5 000
|
|
|
|
|
|
HCPL-063L-500E |
|
|
|
1 104
|
181.69
|
|
|
|
|
HCPL-063L-500E |
|
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-063L-500E |
|
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-063L-500E |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
249
|
|
|
|
|
|
HCPL-181-00BE |
|
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-181-00BE |
|
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-181-00BE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-181-00BE |
|
|
BROADCOM
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-181-00BE |
|
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
INA105BM |
|
ОУ Диференциальный, Gain=1, Uсм=125мкВ, Uпит=10..36В, Bwss=1MГц
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
INA105BM |
|
ОУ Диференциальный, Gain=1, Uсм=125мкВ, Uпит=10..36В, Bwss=1MГц
|
BURR-BROWN
|
|
|
|
|
|
|
INA105BM |
|
ОУ Диференциальный, Gain=1, Uсм=125мкВ, Uпит=10..36В, Bwss=1MГц
|
|
|
2 666.76
|
|
|
|
|
INA105BM |
|
ОУ Диференциальный, Gain=1, Uсм=125мкВ, Uпит=10..36В, Bwss=1MГц
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
|
INA105BM |
|
ОУ Диференциальный, Gain=1, Uсм=125мкВ, Uпит=10..36В, Bwss=1MГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
740
|
|
|
|
|
|
JCP0045B-3 |
|
|
JVC
|
|
|
|
|
|
|
JCP0045B-3 |
|
|
|
|
486.84
|
|
|
|
|
JCP0045B-3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
469
|
|
|
|
|
|
LM217LZ-TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM217LZ-TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM217LZ-TR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM217LZ-TR |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LMV934IDRG4 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LP38855S-1.2 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP38855S-1.2 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP38855S-1.2 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN4R7N00L |
|
Индуктивность на феррите 4.7мкГн, 390мОм, 80мА, 30%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LQM21FN4R7N00L |
|
Индуктивность на феррите 4.7мкГн, 390мОм, 80мА, 30%
|
|
|
18.12
|
|
|
|
|
LQM21FN4R7N00L |
|
Индуктивность на феррите 4.7мкГн, 390мОм, 80мА, 30%
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
LT1375HVCS8 |
|
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
