| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
DS89C430-ENL |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
135
|
|
|
|
|
|
EP1C20F400I7N |
|
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
|
EP1C20F400I7N |
|
|
ALT
|
|
|
|
|
|
|
EP1C20F400I7N |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
SILICONIX
|
1 015
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRFBC40PBF |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 600В, Rоткр = 1.2Ом, Id(25°C) = 6.2A
|
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRL540S |
|
Hexfet® power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
421 147
|
2.07
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
28 120
|
2.63
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
4 596
|
2.87
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
283
|
2.75
|
|
|
|
|
LAA110PTR |
|
|
CPC
|
|
|
|
|
|
|
LAA110PTR |
|
|
CLARE CORP.
|
|
|
|
|
|
|
LAA110PTR |
|
|
CLARE
|
|
|
|
|
|
|
LAA110PTR |
|
|
CLARE
|
|
|
|
|
|
|
LAA110PTR |
|
|
IXYS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
MAX4372HEUK |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX4372HEUK |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX6035ESA25 |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX6035ESA25 |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX6035ESA25+ |
|
|
MAXIM
|
36
|
252.00
|
|
|
|
|
MAX6035ESA25+ |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX6035ESA25+ |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
|
1
|
75.60
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
559
|
|
|
|
|
|
MCE4WT-A2-0000-000KE5 |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
|
MCE4WT-A2-0000-000KE5 |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
|
MX6AWT-A1-0000-0008B8 |
|
|
CREE
|
|
|
|
|
|
|
MX6AWT-A1-0000-0008B8 |
|
|
Cree Inc
|
|
|
|
|
|
|
NCP1651DR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
