|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
SI4896DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
SI4946EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI4946EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
95.08
|
|
|
|
SI4948EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI4948EY |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
125.16
|
|
|
|
SI9118DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI9118DY |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
345.24
|
|
|
|
SKM100GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SKM100GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
5 669.88
|
|
|
|
SKM100GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SEMICRON
|
33
|
6 720.00
|
|
|
|
SKM150GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SKM150GB063D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
8 134.20
|
|
|
|
SKM191FC |
|
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SKM191FC |
|
|
|
|
12 452.00
|
|
|
|
SKM200GB123D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SKM200GB123D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
14 966.52
|
|
|
|
SKM200GB125D |
|
Транзистор
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SKM200GB125D |
|
Транзистор
|
|
1
|
38 375.13
|
|
|
|
SKM200GB125D |
|
Транзистор
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
SMBTA42 |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SMBTA42 |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.88
|
|
|
|
SMBTA42 |
|
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBTA92 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
748
|
10.50
|
|
|
|
SMBTA92 |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.52
|
|
|
|
SPN04N60S5 |
|
Полевой транзистор SMD
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPN04N60S5 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
72.08
|
|
|
|
SPN04N60S5 |
|
Полевой транзистор SMD
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
|
|
509.00
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON
|
2
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPW17N80C3 |
|
Полевой транзистор 17A 800В 290мОм
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
SSP3N80(A) |
|
Полевой транзистор
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SSP3N80(A) |
|
Полевой транзистор
|
|
|
164.52
|
|
|
|
SSP7N60B |
|
Полевой транзистор
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SSP7N60B |
|
Полевой транзистор
|
FSC
|
|
|
|
|
|
SSP7N60B |
|
Полевой транзистор
|
|
|
79.68
|
|
|
|
SST310 |
|
Полевой транзистор управляемый p-n переходом
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SST310 |
|
Полевой транзистор управляемый p-n переходом
|
|
|
8.60
|
|
|
|
ST13003 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700V, 1.5A, 40W, 0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ST13003 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700V, 1.5A, 40W, 0.7uS
|
|
|
16.72
|
|
|
|
ST13003 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700V, 1.5A, 40W, 0.7uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ST13003 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700V, 1.5A, 40W, 0.7uS
|
США
|
|
|
|
|
|
ST13003 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700V, 1.5A, 40W, 0.7uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|