1N5355B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
1N5355B	4	22.80
1N5355B (MIC)	2 752	13.58
1N5355B (YJ)	8 217	15.67

Версия для печати

Технические характеристики 1N5355B

Рабочая температура	-65°C ~ 150°C
Корпус	T-18
Корпус (размер)	T-18, Axial
Тип монтажа	Выводной
Impedance (Max) (Zzt)	2.5 Ohm
Power - Max	5W
Допустимые отклонения емкости	±5%
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 13V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	18V
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±5%
Серия	Surmetic™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1N53xxB

5 Watt SurmeticE 40 Zener Voltage Regulators

Также в этом файле: 1N5355B

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

1N5355B datasheet
67.06Kb
8стр.

Синонимы от поставщиков: 1N5355B ; 1N-5355B ; 1N 5355B ; 1N — 5355B ; 1N5355B ; диод 1N5355B ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FCA20N60	600v n-channel mosfet	FAIR
FCA20N60	600v n-channel mosfet	FSC
FCA20N60	600v n-channel mosfet			1 040.64
FCA20N60	600v n-channel mosfet	FAIRCHILD
FCA20N60	600v n-channel mosfet	FAIRCHILD
FCA20N60	600v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
GR-250-10	Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 250 В	TREC
GR-250-10	Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 250 В			12.52
GR-250-10	Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
GR-250-10	Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SG3842M		MICRO SEMICONDUCTOR
SG3842M		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
SG3842M		Microsemi Analog Mixed Signal Group
SG3842M		MICROSEMI CORP
SG3842M				314.88
UCC37322D		TEXAS INSTRUMENTS
UCC37322D
UCC37322D		TEXAS
КТ845А		ФЗМТ
КТ845А			108	110.88
КТ845А		ЭЛЕКТРОПРИБОР
КТ845А		ФРЯЗИНО
КТ845А		RUS
КТ845А		ТОМИЛИНО
КТ845А		ЭЛЕКТРОНПРИБОР	394	260.10