1N5821


Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)

Купить 1N5821 по цене 4.80 руб.  (без НДС 20%)
1N5821 Ограничительный диод шотки     Защита от...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
1N5821 33 4.80 
1N5821 (DC COMPONENTS) 9 140 4.00 
1N5821 (GOOD-ARK) 1 8.33 
1N5821 (MIC) 5 183 4.08 
1N5821 (КИТАЙ) 800 7.83 
1N5821 (YJ) 3 536 4.81 
1N5821 (KINGTRONICS) 14 13.78 
1N5821 (YANGJIE (YJ)) 728 3.94 

Ограничительный диод шотки
  • Защита от перенапряжения
  • Высокая скорость коммутации
  • Низкое паление прямого напряжения
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Версия для печати

Технические характеристики 1N5821

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)30V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If500mV @ 3A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
КорпусDO-201AD
Корпус (размер)DO-201AD, Axial
Тип монтажаВыводной
Capacitance @ Vr, F190pF @ 4V, 1MHz
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode TypeSchottky
Current - Reverse Leakage @ Vr500µA @ 30V
Current - Average Rectified (Io)3A
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1N5821 (Диоды Шотки)

3.0 AMP. Schottky Barrier Rectifier

Производитель:
Promax-Johnton

1N5821 datasheet
176.82Kb
2стр.

Синонимы от поставщиков: 1N5821 ; 1N-5821 ; 1N 5821 ; 1N — 5821 ; 1N5821 ; диод 1N5821 ;

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    7.3728 MHZ HC-49S     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF5305S Транзистор полевой SMD   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF5305S Транзистор полевой SMD     Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF5305S Транзистор полевой SMD   INTERNATIONAL RECTIFIER 26 цена радиодетали
IRF5305S Транзистор полевой SMD   INFINEON 3 82.34 
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц     Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ONS 7 769 1.20 
>100 шт.   0.60 
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   MOTOROLA 1 971 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ON SEMICONDUCTOR 1 733 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   OTHER 76 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  SDR1006-331KL Индуктивность 330 мкГн SMD   BOURNS 2 344 21.82 
  SDR1006-331KL Индуктивность 330 мкГн SMD     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  SDR1006-331KL Индуктивность 330 мкГн SMD   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP281 Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP281 Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA     5 38.50 
TLP281 Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
TLP281 Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA   TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход