IRFL210PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFL210PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 580mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	960mA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFL210PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFL210PBF datasheet
804 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER	72
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W		40
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INFINEON
IRF7831	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7831	Транзистор полевой N-канальный MOSFET			210.96
IRF7831	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER	47
IRF7831	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
MMBF170LT1	Power mosfet 500 ma, 60 v n-channel sot-23	ON SEMICONDUCTOR
MMBF170LT1	Power mosfet 500 ma, 60 v n-channel sot-23	ON SEMICONDUCTOR
Si4126DY	N-channel 30-v (d-s) mosfet	VISHAY
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS
SM6T36A
SM6T36A		ST MICROELECTRONICS SEMI	596
SM6T36A		STMicroelectronics
SM6T36A		КИТАЙ
SM6T36A
SM6T36A		HOTTECH
SM6T36A		1