| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Д102А |
|
Выпрямительный диод в пластиковом копусе , выводы гибкие, 250В, 2А, 4кГц
|
|
241
|
43.20
|
|
|
|
|
2Д102А |
|
Выпрямительный диод в пластиковом копусе , выводы гибкие, 250В, 2А, 4кГц
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
2Д102А |
|
Выпрямительный диод в пластиковом копусе , выводы гибкие, 250В, 2А, 4кГц
|
ДНЕПР
|
768
|
|
|
|
|
|
2Д102А |
|
Выпрямительный диод в пластиковом копусе , выводы гибкие, 250В, 2А, 4кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д102А |
|
Выпрямительный диод в пластиковом копусе , выводы гибкие, 250В, 2А, 4кГц
|
LYTGH
|
|
|
|
|
|
|
2Д102А |
|
Выпрямительный диод в пластиковом копусе , выводы гибкие, 250В, 2А, 4кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
11 387
|
33.25
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
294
|
72.80
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
|
|
203.92
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
МИНСК
|
8
|
150.00
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
|
|
|
|
|
2Т3117А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN импульсный 300мВт, 200МГц
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
|
2Т825Б |
|
|
|
60
|
437.50
|
|
|
|
|
2Т825Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Т825Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
2Т825Б |
|
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
|
|
47.92
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
Версия для печати
