C630 (ABE), 10 A, 250 В, 6.35Х30 ММ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
C630 (ABE), 20 A, 250 В, 6.35Х30 ММ		CONQUER
FDD03-15S4A	DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9:36В, Выход 15В/200мА, изоляция 1500В DC, ...	CHINFA
FDD03-15S4A	DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9:36В, Выход 15В/200мА, изоляция 1500В DC, ...			1 056.00
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIR
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	INTERSIL
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FSC
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)		1	498.00
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	Fairchild Semiconductor
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	FAIRCHILD
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS-FAIR
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ONS
HGTG20N60A4	Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)	ON SEMICONDUCTOR
ICL7667CPAZ		INTERSIL
ICL7667CPAZ		ITL
ICL7667CPAZ
ICL7667CPAZ		RENESAS
ВП2Б-1В, 10 А, 250 В		РАДИОДЕТАЛЬ