ICL7667CPAZ


Купить ICL7667CPAZ ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
ICL7667CPAZ
Версия для печати

Технические характеристики ICL7667CPAZ

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
КонфигурацияLow-Side
Тип входаInverting
Время задержки20ns
Ток пиковое значение1A
Число конфигураций2
Число выходов2
Напряжение питания4.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура0°C ~ 70°C
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус8-PDIP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    C630 (ABE), 10 A, 250 В, 6.35Х30 ММ     CONQUER Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDD03-15S4A DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9:36В, Выход 15В/200мА, изоляция 1500В DC, ...   CHINFA Заказ радиодеталей цена радиодетали
FDD03-15S4A DC/DC преобразователь мощностью 3 Вт, Uвх=9:36В, Выход 15В/200мА, изоляция 1500В DC, ...     Заказ радиодеталей 1 056.00 
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)     1 498.00 
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   КОРЕЯ РЕСПУБЛИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG20N60A4 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   ВЗПП Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А     512 25.08 
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ВП2Б-1В, 10 А, 250 В     РАДИОДЕТАЛЬ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход