Версия для печати
Технические характеристики BC847BDW1T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

BC847BDW1T1 Dual General Purpose Transistors Также в этом файле: BC847BDW1T1G Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com BC847BDW1T1G datasheet 109.94Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	81.60
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...		1	60.00
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	МАЛАЙЗИЯ
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INFINEON
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	1
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...		72	15.84
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	INFINEON
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	HOTTECH
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	VBSEMI	231	7.98
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	TRR	264	5.69
		IRLML2803TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...	YOUTAI	3 100	4.44
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	RECTIFIER
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TR		МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INFINEON
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INFINEON
		IRLMS5703TRPBF		P-канальный -30В -2.3А лог Micro6
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	336	610.08
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"