|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLMS5703TRPBF |
|
P-канальный -30В -2.3А лог Micro6
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLMS5703TRPBF |
|
P-канальный -30В -2.3А лог Micro6
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLMS5703TRPBF |
|
P-канальный -30В -2.3А лог Micro6
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLMS5703TRPBF |
|
P-канальный -30В -2.3А лог Micro6
|
|
|
|
|
|
|
L-53F3C |
|
5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.
|
|
|
29.32
|
|
|
|
L-53F3C |
|
5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-53F3C |
|
5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.
|
KGB
|
24 208
|
14.76
|
|
|
|
L-53F3C |
|
5mm, Water Clear, 940nm, 3,7-7,2mW/cm2@20mA, 30 град.
|
KB
|
|
|
|
|
|
SN74AC04MDREP |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
SN74AC04MDREP |
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74AC04MDREP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
438
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
117
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
|
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SN74HC32D |
|
Стандартная логика QUAD 2-INPUT OR GATE -40/+85 C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
672
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
312
|
361.62
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|