UT62256CSC-70LL

(SRAM 32kx8) SO28

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
UT62256CSC-70LL (UTRON)	25	240.00

Версия для печати

Технические характеристики UT62256CSC-70LL

Тип организации памяти	32K x 8
Напряжение питания, В	5
Время доступа, нс	70
Тип шины	паралелльная
Встроенная батарея	Нет
Температурный диапазон, C	0…+70
Тип корпуса	SO28

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C	FAIR
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C	NATIONAL SEMICONDUCTOR
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C			29.60
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C	NATIONAL SEMICONDUCTOR
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C	Fairchild Semiconductor
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C	FARCHILP
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C	FSC
74AC138SC	3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV. -40/+85 C	ONS
IRLMS5703TR	МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLMS5703TR	МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	RECTIFIER
IRLMS5703TR	МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLMS5703TR	МОП-транзистор, P-канал с упр. лог. уровнем, Vси=-30В, Iс =-2.3A, 1.7Вт, Micro6	INFINEON
IRLMS5703TRPBF	P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLMS5703TRPBF	P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLMS5703TRPBF	P-канальный -30В -2.3А лог Micro6	INFINEON
IRLMS5703TRPBF	P-канальный -30В -2.3А лог Micro6
SN74AC04MDREP		Texas Instruments
SN74AC04MDREP
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	344	619.92
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80