|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
38.25
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
671
|
31.50
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
465
|
24.00
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
272
|
57.07
|
|
|
|
МЛТ-2-10 КОМ-5% |
|
Резистор постоянный 10кОм, 5%
|
|
15 329
|
7.04
|
|
|
|
МЛТ-2-6,8 КОМ-5% |
|
|
|
4 146
|
8.80
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
12 000
|
5.10
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
12 000
|
5.10
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧР |
|
|
|
5 480
|
5.10
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧР |
|
|
|
5 480
|
5.10
|
|