FDS4410
|
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1340pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS4410A Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrenchand#174; MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3296P 1K | 3 080 | 9.78 | ||||||
 |
 |
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FSC |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт |
|
174.00 | ||
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт | ONS |
|
|
|
| MAX8725ETI | MAXIM |
|
|
|||||
| MAX8725ETI |
|
273.00 | ||||||
 |
|
PC357N1J000F |
|
Sharp Microelectronics |
|
|
||
|
|
|
PC357N1J000F |
|
SHARP |
|
|
||
|
|
|
PC357N1J000F |
|
|
|
|||
| РУЧКА K16-1 BAKELITE D=6 | YRE |
|
|
|||||
| РУЧКА K16-1 BAKELITE D=6 | КИТАЙ |
|
|
