Версия для печати
Технические характеристики IRFR9024NTRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	175 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	38W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		220МКФ 400В (30X30)		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 400В			390.00
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI ELECTRIC	80	253.76
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJITSU
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W		1	279.00
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJ
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	КИТАЙ
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	ISCSEMI
		2SC2625		Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	INCHANGE	19	178.42
		4.7МКФ 450В (10X18)		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 450В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		4.7МКФ 450В (10X18)		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 450В			24.00
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	13 317	3.01
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	CHIN
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	CHINA
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DIOTEC	1 780	2.04
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	INFINEON
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	GALAXY
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP	3 046
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	2 130
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	INFINEON TECH
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DIODES INC
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	KINGTRON
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)		98 221	1.14  >100 шт.   0.57
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	3 684	1.02  >500 шт.   0.34
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	LRC	800	2.07
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	KLS
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	KOME	10	1.74
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	SUNTAN	28	1.20  >500 шт.   0.40
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	SEMTECH
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	YJ	48 290	2.16
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	RUME
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	TRR ELECTRONICS	6 266	1.34
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NEXPERIA	26	1.45
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.14
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	XXW	175	1.08  >100 шт.   0.54
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	CTK
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	KEEN SIDE	33 052	1.04  >100 шт.   0.52
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	MERRYELC
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ASEMI	1 298	1.41  >500 шт.   0.47
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	4605
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ELZET	47 600	1.02  >500 шт.   0.34
		BC857C		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	TRR
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	CHIN
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	DC COMPONENTS	16	19.09
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс			20.28
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	WTE
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	GALAXY
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	MIC
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	КИТАЙ
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	MCC
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	JS
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	YJ
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	GALAXY ME
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	KINGTRONICS
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	WUXI XUYANG
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	YANGJIE	7 760	7.28
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	YANGJIE (YJ)
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	GALAXY MICROELECTRONICS CO.,LTD
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	KOME
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	HOTTECH	96	22.73
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	KLS
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	1
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	XUYANG	348	18.89
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	YANGZHOU YANGJIE
		FR607		Диод импульсный быстровосстанавливающийся 6A, 1000В, 500нс	KEEN SIDE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"