BC857C

Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BC857C (DC COMPONENTS)	231	2.71
BC857C (NXP)	968	2.00
BC857C (DIOTEC)	49 316	1.60
BC857C (NXP.)	2 948	3-4 недели Цена по запросу
BC857C (PHILIPS.)	2 199	3-4 недели Цена по запросу
BC857C (KOME)	10	1.82
BC857C (SUNTAN)	481 894	1.08
BC857C	5 059	1.40 >100 шт. 0.70
BC857C (HOTTECH)	139 148	1.96 >100 шт. 0.98
BC857C (LRC)	2 400	1.97
BC857C (SEMTECH)	39 076	1.81
BC857C (YJ)	66 839	1.40
BC857C (TRR ELECTRONICS)	2 016	1.39

Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монтажа. Применяются в самых широких областях электроники.
Uк-э.макс.         -45V
Uк-б.макс.       -50V
Iк.макс.            100mA
Iк.имп.макс.     200mA
Fгр.                 100MHz
Pрасс.макс.     250mW
Cк                    4,5pF(тип.)
Шумы     2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe                  420..800
Диапазон рабочих температур     -65..+150°С
Аналог        ~КТ3130

Версия для печати

Технические характеристики BC857C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC85x

Small Signal Transistors (pnp)

Также в этом файле: BC857C

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

BC857C datasheet
168.66Kb
9стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	UTC
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.		58 384	5.65
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ИНТЕГРАЛ	266	15.30
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ПЛАНЕТА
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	WINGSHING
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	МИНСК
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	-
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	НАЛЬЧИК
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ANK
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ST MICROELECTRONICS
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	WS
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	HOTTECH	41 690	2.92
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	CJ
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	YOUTAI	83 385	2.83
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	KEXIN	3 111	10.20
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	ZH	79 200	6.32
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	LGE	2	6.56
78L05	Стабилизатор напряжения положительной полярности 0.1А,5В.	UMW
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	4 791	1.60
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	42 838	2.37
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC	33 797	1.71
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	144
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		16 528	1.42 >100 шт. 0.71
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 312
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	30 860	1.97
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	1 253 090	1.20
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	2 920	1.56 >100 шт. 0.78
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	176 657	1.94 >100 шт. 0.97
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	9 600	1.01
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	168 000	1.46 >100 шт. 0.73
BAV70	2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC	1 926	1.43
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	762 216	1.62
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	68 890	2.50
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		2 874	5.28
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	301
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	5 333
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	6.63
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	89 699	1.97
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	596	1.75
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.40
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	368	1.59
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	1 920	1.75
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	235 200	1.15
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 705 328	1.13
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	787 103	1.29
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	152 000	1.96 >100 шт. 0.98
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	228 564	1.32
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	53 600	1.40 >100 шт. 0.70
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	2 240	1.60
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	800	6.63
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	1 736	1.60
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	8 774	2.68
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	51 304	2.47
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	1 654
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		19	2.52
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	1 742	1.96 >100 шт. 0.98
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	216 531	1.92 >100 шт. 0.96
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	170 996	1.45
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
BC847B	Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	8	2.71
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	191 480	1.07
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	196
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		112 845	1.32 >100 шт. 0.66
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	126 860	1.76 >100 шт. 0.88
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	2 240	9.84
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	43 127	1.53
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	867 975	1.24
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	3 055	1.60
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	207 461	1.02
BC847C	Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1

BC857C

Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают: