IRFS4410Z

Версия для печати

Технические характеристики IRFS4410Z

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	97A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 58A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4820pF @ 50V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.