| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
|
506
|
88.56
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
BM
|
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
AUK
|
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
DB-50M |
|
Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов
|
КИТАЙ
|
6
|
120.00
|
|
|
|
|
MTS-202 ON-ON |
|
|
|
6 840
|
27.44
|
|
|
|
|
MTS-202 ON-ON |
|
|
RUICHI
|
6
|
25.19
|
|
|
|
|
MTS-202 ON-ON |
|
|
JIETONG
|
|
|
|
|
|
|
Г4.0 БЕЛЫЕ |
|
Гнездо кабельное для соединения, 4мм, 100мА, 350В
|
|
640
|
63.00
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
916
|
11.38
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
5 971
|
13.00
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
137
|
20.84
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
1 024
|
8.00
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.77
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3 280
|
22.63
|
|
|
|
|
ППБ-50Г13-50ВТ-150 ОМ-10% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
