TLP281


Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA

Купить TLP281 по цене 35.20 руб.  (без НДС 20%)
TLP281
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
TLP281 5 35.20 

Версия для печати

Технические характеристики TLP281

Тип входаDC
Количество каналов1
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current Transfer Ratio (Min)50% @ 5mA
Current - DC Forward (If)50mA
Voltage - Isolation2500Vrms
Напряжение выходное80V
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)4-SOIC (0.17", 4.40mm)
Тип выходаTransistor
Ток выходной / канал50mA
Current Transfer Ratio (Max)600% @ 5mA
Vce Saturation (Max)400mV
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TLP281 (Оптроны транзисторные (с транзисторным выходом))

Programmable Controllers Ac / dc-input Module Pc Card Modem (pcmcia)

Также в этом файле: TLP281-4

Производитель:
Toshiba Semiconductor
http://www.semicon.toshiba.co.jp

TLP281 datasheet
199.11Kb
7стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   MICRO SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   TAIWAN SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   DC COMPONENTS 7 371 4.00 
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   RFE INTERNATIONAL Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   SMK Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   RF ELECT/RFE INTERNATIONAL Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   RF ELECT./RFE INTERNATIONAL Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   КИТАЙ 800 6.09 
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   YJ 18 198 3.58 
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)     48 4.80 
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   KINGTRONICS 2 320 5.90 
1N5821 Диод Шоттки (U=30V, I=3.0A, Vf=0.50V@I=3.0A, Vf=0.90V@I=9.4A, -50 to +125C)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    7.3728 MHZ HC-49S     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ADM2687EBRIZ     ANALOG DEVICES Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ADM2687EBRIZ     ANALOG DEVICES 53 711.06 
    ADM2687EBRIZ       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ADM2687EBRIZ     AD1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ADM2687EBRIZ     ANALOG Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц     Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ONS 12 365 1.20 
>100 шт.   0.60 
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   MOTOROLA 2 485 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ON SEMICONDUCTOR 2 582 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   OTHER 92 цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
MMBT3904LT1 Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц   ONS-FAIR 55 1.50 
>100 шт.   0.75 
  SDR1006-331KL Индуктивность 330 мкГн SMD   BOURNS 4 481 16.42 
  SDR1006-331KL Индуктивность 330 мкГн SMD     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  SDR1006-331KL Индуктивность 330 мкГн SMD   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход