MC33269DT-12

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MC33269DT-12	4	52.80
MC33269DT-12	4	52.80

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IR2113S	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2113S	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A			148.88
IR2113S	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IR2113S	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	ТАИЛАНД
IR2113S	Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 10нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=2/2A	INFINEON
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	RECTIFIER
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	VISHAY
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A			238.00
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	IXYS
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	STMicroelectronics
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INFINEON
IRFP250	Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	ST MICROELECTRONICS
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	VISHAY
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W			275.84
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	Vishay/Siliconix
IRFP360	Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	КИТАЙ
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)			77.28
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ONS-FAIR
MC33269DT-5.0	СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ONS
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 196	33.44
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	540	51.00
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	166	90.00
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
КТ818Б	Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ