Версия для печати
Технические характеристики TOP227Y

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	TOPSwitch®-II
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	90 ~ 110kHz
Напряжение выходное	700V
Мощность (Ватт)	150W
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220-3

TOP227Y datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	RECTIFIER
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	VISHAY
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A			238.00
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	IXYS
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	STMicroelectronics
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	INFINEON
		IRFP250		Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A	ST MICROELECTRONICS
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	VISHAY
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W			275.84
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	Vishay/Siliconix
		IRFP360		Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W	КИТАЙ
		MC33269DT-12			MOTOROLA
		MC33269DT-12			ON SEMICONDUCTOR
		MC33269DT-12			MOTOROLA
		MC33269DT-12				4	52.80
		MC33269DT-12				4	52.80
		MC33269DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MC33269DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)			77.28
		MC33269DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MC33269DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ONS-FAIR
		MC33269DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)	ONS
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 128	33.44
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	540	51.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	169	90.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"