| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL
|
1 444
|
279.00
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
|
406
|
316.20
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
600
|
516.60
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
1805
|
|
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KB
|
|
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KINGBRIGHT
|
95
|
70.68
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
|
|
72.00
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KGB
|
88
|
128.25
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
Kingbright Corp
|
|
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA04-11GWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером фоне
|
129
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KB
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
|
|
55.88
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KGB
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
Kingbright Corp
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SA56-11EWA |
|
7-сегментный светодиод, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на сером фоне
|
KINGBRIGHT
|
83
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
2 772
|
9.30
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
16
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
17.96
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
1 600
|
21.70
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
111
|
1 229.76
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
184
|
1 116.00
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
97
|
1 357.80
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
82
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
84
|
|
|
|