|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
96
|
51.00
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
MOTOROLA
|
80
|
51.00
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
|
30
|
74.40
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
1
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
4 207
|
28.00
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
29
|
170.00
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный
|
|
86
|
177.12
|
|
|
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
1 147.50
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
65
|
805.00
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
199
|
1 250.00
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
209
|
192.50
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
|
|
|