BY228TAP
Демпфирующий диод (Vr=1500V, If=5A(peak), t=1us, -65 to +150C)
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C8051F320-GQR | SILAB |
|
|
|||||
| C8051F320-GQR | 49 | 525.70 | ||||||
| C8051F320-GQR | SLAB |
|
|
|||||
| C8051F320-GQR | Silicon Laboratories Inc |
|
|
|||||
| C8051F320-GQR | SILICON LAB |
|
|
|||||
| C8051F320-GQR | SILICON LABS |
|
|
|||||
| C8051F320-GQR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 193 |
|
|||||
| C8051F920-GQR | SILAB |
|
|
|||||
| C8051F920-GQR |
|
452.24 | ||||||
| C8051F920-GQR | SLAB |
|
|
|||||
| C8051F920-GQR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 102 |
|
|||||
 |
 |
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой | 124 | 186.00 | ||
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFB9N60A |
|
Транзистор полевой | INFINEON |
|
|
|
 |
|
SIHG20N50C-E3 |
|
Vishay/Siliconix |
|
|
||
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
VISHAY |
|
|
||
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
320 | 132.27 | |||
 |
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON | 1 | 289.75 | |
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом |
|
575.64 | ||
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом | INFINEON TECH |
|
|
