Версия для печати
Технические характеристики IRFB9N60A

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 25V
Power - Max	170W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFB9N60A (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) =0.75ohm, Id=9.2A) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFB9N60A datasheet 137.23Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FSDM0265RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
		FSDM0265RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FSC1
		FSDM0265RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт
		FSDM0265RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FSC
		FSDM0265RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIRCHILD
		FSDM0265RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	ONS
		SIHG20N50C-E3			Vishay/Siliconix
		SIHG20N50C-E3			VISHAY	2 000	137.76
		SIHG20N50C-E3				240	115.86
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	INFINEON	144	206.64
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом			575.64
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	INFINEON
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	Infineon Technologies
		SPP20N60C3		Полевой транзистор 20A 600В 0.19Ом	INFINEON TECH
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	ST MICROELECTRONICS
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD			663.88
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	СИНГАПУР
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	ST1
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	NXP
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	STMICROELECTR
		TNY276PN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 19W Umax 700V Imax 0,374A	PI
		TNY276PN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 19W Umax 700V Imax 0,374A		6	201.60
		TNY276PN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 19W Umax 700V Imax 0,374A	PWR
		TNY276PN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 19W Umax 700V Imax 0,374A	Power Integrations
		TNY276PN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 19W Umax 700V Imax 0,374A	ТАИЛАНД
		TNY276PN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 19W Umax 700V Imax 0,374A	POWER INTEGRATI
		TNY276PN		Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 19W Umax 700V Imax 0,374A	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"