MJE5852G


Купить MJE5852G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJE5852G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MJE5852G (ON SEMICONDUCTOR.) 20 3-4 недели
Цена по запросу
MJE5852G (ТАЙВАНЬ) 880 59.90 

Версия для печати

Технические характеристики MJE5852G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияSWITCHMODE™
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic5V @ 3A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 5A, 5V
Power - Max80W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRG4PH50KD Транзистор IGBT   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50KD Транзистор IGBT   RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50KD Транзистор IGBT     Заказ радиодеталей 577.64 
IRG4PH50KD Транзистор IGBT   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50KD Транзистор IGBT   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход