IRG4PH50KD
Транзистор IGBT
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 24A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45A |
| Power - Max | 200W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH50KD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1-505,(XLR-MC-104) , РАЗЪЕМ XLR 3P ШТ МЕТАЛЛ НА КАБ. С ХОМУТОМ (60ММ | КИТАЙ |
|
|
|||||
| IDP15E60 | INFINEON |
|
|
|||||
| IDP15E60 |
|
174.24 | ||||||
| IDP15E60 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
 |
 |
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 25 | 566.77 | |
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... |
|
491.08 | ||
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
IXFH13N80Q |
|
N-Ch 800V 13A 250W 0,70R | IXYS |
|
|
||
|
|
IXFH13N80Q |
|
N-Ch 800V 13A 250W 0,70R |
|
176.88 | |||
| С2-23-0,125-120 КОМ-5% | 33 | 3.60 |
