|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 791
|
1.60
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
42 838
|
2.33
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
27 909
|
1.69
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
144
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
16 528
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 312
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
75 660
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
1 255 168
|
1.18
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 920
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
176 081
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
9 600
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
168 000
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
732
|
1.40
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
189
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TIP122G |
|
|
ONSEMI
|
8
|
83.47
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
160
|
7.20
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
104
|
5.00
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
1 203
|
6.00
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
14.79
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
736
|
11.81
|
|
|
|
ЭКФ1533ИР33 |
|
|
|
|
67.20
|
|
|
|
ЭКФ1533ИР33 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ИР33 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ИР33 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ИР33 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ИР33 |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
|
|
48.00
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
МИНСК
|
1 768
|
24.00
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
31.86
|
|
|
|
ЭКФ1533ТМ2 |
|
|
RUS
|
|
|
|