SI2302CDS-T1-GE3


Купить SI2302CDS-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI2302CDS-T1-GE3 (SILICONIX.) 176 3-4 недели
Цена по запросу
SI2302CDS-T1-GE3 (VISHAY) 3 22.04 

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Версия для печати

Технические характеристики SI2302CDS-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.6A
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Power - Max710mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI2302CDS-T1-GE3 datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  HOA2005-001     HONEYWELL Заказ радиодеталей цена радиодетали
  HOA2005-001     HONEY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  HOA2005-001       Заказ радиодеталей 1 247.44 
  HOA2005-001     Honeywell Sensing and Control Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   VISHAY 208 30.50 
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R     Заказ радиодеталей 40.80 
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   SILICONIX 1 600 цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   VISHAY 1 313 цена радиодетали
    SI2301BDS-T1-E3 P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
    Д-603 СВЧ ДИОД       Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс     1 040 16.45 
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   ТОМИЛИНО Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   СЗТП 1 268 29.67 
КД226Д Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс   РОССИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт     810 26.95 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   КРЕМНИЙ 532 35.70 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   БРЯНСК 2 187 32.00 
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   УЛЬЯНОВСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход