SI2301BDS-T1-E3
P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 375pF @ 6V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L-119EGW RG | KGB |
|
|
|||||
 |
LP2985IM5-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP2985IM5-3.3 |
|
66.44 | |||||
|
|
LP2985IM5-3.3 | NSC |
|
|
||||
|
|
LP2985IM5-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP2985IM5-3.3 | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||||
|
|
LP2985IM5-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LP2985IM5-3.3 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LP2985IM5-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LP2985IM5-3.3 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
||||
| SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R | VISHAY |
|
|
|||
| SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R | SILICONIX |
|
|
|||
| SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R |
|
40.40 | ||||
| SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R | SILICONIX |
|
|
|||
| SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R | VISHAY |
|
|
|||
| SI2302ADS-T1-E3 |
|
N-Ch 20V 2,4A 0,57W 0,06R | Vishay/Siliconix |
|
|
|||
| TK29BU-PC-EM1 | SUNBEST |
|
|
|||||
| TK29BU-PC-EM1 |
|
|
||||||
 |
Д405А | 21 | 78.12 | |||||
|
|
Д405А | ТОМИЛИНО | 1 | 279.00 | ||||
|
|
Д405А | ИНТЕГРАЛ | 151 | 291.00 | ||||
|
|
Д405А | ЭЛТОМ |
|
|
||||
|
|
Д405А | МИНСК |
|
|
