Версия для печати
Технические характеристики SDR1307-330KL

Производитель	BOURNS, INC.
Номинальная индуктивность	33 мк Гн
Допуск индуктивности	±10%
Ток насыщения на 20С	5 А
Ток RMS	3.1 А
Частота тестирования	2.52 МГц
Резонансная частота типичная	10 МГц
Максимальное омическое сопротивление	65 мОм
Добротность типичная на частоте 1	35
Тип монтажа	SMD
Магнитное экранирование	Нет
Размер корпуса	13.0x13.0x7.0 мм
Рабочая температура	-40...125 °C

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		12.00 MHZ HC-49SM			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		12.00 MHZ HC-49SM			ТАЙВАНЬ	168	19.68
		CM200S-32.768KHZ			CITIZEN
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)		56	26.29
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	ФИЛИППИНЫ
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	INFINEON
		IRF7341		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)	SLKOR	719	18.18
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	111	40.00
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		1	82.80
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 253
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		MJD44H11		Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	ON SEMICONDUCTOR
		MJD44H11		Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	MOTOROLA	27	30.00
		MJD44H11		Транзистор n-p-n 80V 8A 20W

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"