|
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Power - Max | 130W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRF640S N - Channel Mesh Overlay Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LP2981-50DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 800 | 22.31 | |||||
LP2981-50DBVR | 3 596 | 21.19 | ||||||
LP2981-50DBVR | TEXAS | |||||||
NCP3020ADR2G | ON Semiconductor | |||||||
NCP3020ADR2G | ONS | |||||||
NCP3020ADR2G | ||||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М | 30.76 | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М | ПОЛЬША | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М | ГЕРМАНИЯ | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М | 30.76 | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М | ПОЛЬША | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М | 33.84 | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М | ПОЛЬША | |||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|