ДЛ112-25-13
|
|
Версия для печати
| Максимально допустимый средний прямой ток IF(AV) (TC,°C) | 25(120) |
| Интеграл Джоуля i2t | 0,58 |
| Импульсное прямое напряжение / ток VFM/IFM | 1,35/78 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус Rth(j-c) | 1,1 |
| Охладители | О111 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Д122-40Х-14 | 1 | 241.80 | |||||
|
|
Д122-40Х-14 | СИЛ.ПРИБ.4 |
|
|
||||
|
|
Д122-40Х-14 | ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
||||
|
|
Д122-40Х-14 | RUS |
|
|
||||
|
|
Д122-40Х-14 | ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ |
|
|
||||
|
|
Д122-40Х-14 | HUAJING |
|
|
||||
| КД 202М |
|
|
||||||
 |
 |
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 801 | 37.48 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
|
 |
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | 2 943 | 31.62 | ||
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | УЛЬЯНОВСК |
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | УРЛЗ | 272 | 340.96 | |
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа | КАЛУГА |
|
|
|
| УПЧЗ-2МС | 160 | 46.50 |
