|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
3 416
|
10.80
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КВ132А |
|
40 пФ, добротность 300, 12 В, 50МГц, 0,05 мА
|
|
|
16.16
|
|
|
|
КВ132А |
|
40 пФ, добротность 300, 12 В, 50МГц, 0,05 мА
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
КВ132А |
|
40 пФ, добротность 300, 12 В, 50МГц, 0,05 мА
|
ТОМСК
|
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
|
52.80
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
|
68
|
28.80
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
МП41А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
ЭКР1087ЕУ1 |
|
|
|
3
|
46.80
|
|
|
|
ЭКР1087ЕУ1 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
ЭКР1087ЕУ1 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
ЭКР1087ЕУ1 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|