IRFI540N
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 94nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Power - Max | 54W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFI540N (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=100v, Rds (on) =0.052ohm, Id=20a)
Производитель:
|
