М42303 20А (АНАЛОГ)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
EFUSE RGEF1000		RYC
EFUSE RGEF1000
EFUSE RGEF1000		RAY
EFUSE RGEF1000		RAYCHEM
EFUSE RGEF1000		США
EFUSE RGEF1000		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
EFUSE RGEF1000
MB351 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 100V		DC COMPONENTS
MB351 ДИОДНЫЙ МОСТ 35A 100V
ЗУММЕР 1203FXP
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		368	13.02
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	80	24.99
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
КД226Д	Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP		3	279.00
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	КРЕМНИЙ	48	858.88
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	БРЯНСК	391	409.20
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	УЛЬЯНОВСК
КТ818ГМ	Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP	624