Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 760	16.00
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	436	14.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	32	4.37
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	6 614	16.33
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	118	3.84
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	4 800	3.96
		BTB16-600BRG TO220-3
		KPI-G-4330ИЗЛУЧАТ...			KEPO
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18			150.24
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18	NSC
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18	TEXAS INSTRUMENTS
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18	TEXAS
		LM3915N-1		Интегральная микросхема 10 LED-драйвер дисплея DIP18	4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц		2 575	27.90
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	КРЕМНИЙ	80	26.55
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	БРЯНСК	71	18.60
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	УЛЬЯНОВСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	МИНСК
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ961А		Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"