Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HEXFRED® |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 600V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
Корпус | TO-220AC |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
|
|
5.00
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
MAT
|
|
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
PAN
|
|
|
|
|
|
2SC3311 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
4.7МКФ 63В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 63В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4.7МКФ 63В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 63В
|
|
|
4.80
|
|
|
|
ECAP 470/400V 3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/400V 3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С
|
|
|
560.00
|
|
|
|
ECAP 470/400V 3540 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 400 В, 85С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
МЛТ-2-160 ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|