2SC3311
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.2A, 0.5W, 200MHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | NS-B1 |
| Корпус (размер) | NS-B1 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Power - Max | 300mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SC3311A (Универсальные биполярные транзисторы) Silicon NPN epitaxial planer type
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SA1309 |
|
Биполярный транзистор | MATSUSHITA |
|
|
|
|
|
|
2SA1309 |
|
Биполярный транзистор |
|
7.44 |
