|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Mode | Discontinuous (Transition) |
| Частота переключения | 200kHz |
| Current - Startup | 75µA |
| Напряжение питания | 12 V ~ 18 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADG509FBRN | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADG509FBRN | Analog Devices Inc |
|
|
|||||
| ADG509FBRN |
|
|
||||||
| ADG509FBRN |
|
|
||||||
| ADG509FBRN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 414 |
|
|||||
| BZW50-39B | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| BZW50-39B | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| BZW50-39B | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| BZW50-39B |
|
564.68 | ||||||
|
|
LMV331M7 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMV331M7 | NSC |
|
|
||||
|
|
LMV331M7 |
|
61.28 | |||||
|
|
LMV331M7 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMV331M7 | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
||||
|
|
LMV331M7 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LMV331M7 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 663 |
|
||||
|
|
|
TLE2072ACD |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
TLE2072ACD |
|
|
646.64 | |||
|
|
|
TLE2072ACD |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 272 |
|
||
|
|
|
W25X40BVSSIG |
|
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | Winbond Electronics |
|
|
|
|
|
|
W25X40BVSSIG |
|
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | WINBOND | 133 |
|
|
|
|
|
W25X40BVSSIG |
|
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц |
|
|
||
|
|
|
W25X40BVSSIG |
|
Энергонезависимая память Flash , SPI, 2.5..5.5В? 4kбит, 512x8, 104VГц | 4-7 НЕДЕЛЬ | 556 |
|