|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AM29F010-120JI |
|
|
AMD
|
|
|
|
|
|
AM29F010-120JI |
|
|
|
|
320.00
|
|
|
|
AM29F010-120JI |
|
|
ADVANCED MICRO DEVICES
|
1
|
|
|
|
|
BTS409L1E3062A |
|
Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BTS409L1E3062A |
|
Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BTS409L1E3062A |
|
Микросхема High-Side переключ. 43В, 2,3A
|
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 SMD |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
AUK
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 SMD |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
|
|
31.88
|
|
|
|
PLCC-32 SMD |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 SMD |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
PLCC-32 SMD |
|
Панель для микросхем 32конт., 1,27мм, 0.02Ом, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
|
572.00
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
192
|
560.88
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZT4 |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
328
|
600.24
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|