|
Структура N-канал |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A корпус TO-220AB
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 3 |
|
|
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... | 1 013 | 66.93 | ||
|
|
|
IRF4905PBF |
|
Транзистор полевой P-канальный (Vds=55V, Id=74A@T=25C, Id=52A@T=100C, Rds=0.02 ... | INFINEON | 2 944 | 39.24 | |
|
|
|
7812CV (L7812CV) |
|
Стабилизаторы положительной полярности с максимальным выходным током 1,5А в ... | ST MICROELECTRONICS | 1 907 | 25.20 | |
| SQP 5W 0.1 5% |
|
|
||||||
| SQP 5W 0.1 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP 5W 0.1 5% | КИТАЙ |
|
|
|||||
|
|
STGD18N40LZT4 |
|
STMicroelectronics |
|
|
|||
|
|
STGD18N40LZT4 |
|
ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
|
|
STGD18N40LZT4 |
|
|
364.80 | ||||
|
|
STGD18N40LZT4 |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
|||
| К50-35-160В-1 МКФ | 1 899 | 1.85 |